Решение задач по физическим основам электроники 5269

Описание

Задача №10

Рассчитать положение уровня Ферми и среднее энергетическое расстояние между разрешенными энергетическими уровнями зоны проводимости в кристалле золота объемом 2 см3 при температуре вблизи абсолютного нуля.

Задача №20

Определите концентрацию электронов и дырок при Т = 300К в образце германия, который имеет концентрацию донорных примесей 2⋅1022 м-3 и концентрацию акцепторных примесей 3⋅1022 м-3, собственная концентрация носителей заряда составляет 2,1⋅1019 м-3. При решении используйте условие электронейтральности p + ND = n + NA.

Задача 30

Вычислить для температуры 300 К контактную разность потенциалов p-n- перехода, сформированного в кремнии, если равновесные концентрации основных носителей заряда в p- и n- областях одинаковы и равны1023 м-3, а собственная концентрация ni = 1016 м-3. Определить толщину слоя объемного заряда.

Задача 40

Установлено, что при некоторой температуре в кристалле антимонида индия ЭДС  Холла обращается в нуль. Определить, какая доля электрического тока через образец при этой температуре переносится дырками, если отношение  подвижности  электронов  к  подвижности  дырок равно100.

Задача 50

Изобразите пространственное распределение зарядов и энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник p-типа,  Ам < Ар для  следующих случаев: а) внешнее напряжение отсутствует;  б) подан прямое смещение; в) подано обратное смещение.

Задача 60

Почему значения термо-ЭДС полупроводников резко уменьшается при переходе от примесной к собственной электропроводимости? Каков знак термо-ЭДС полупроводников с собственной электропроводимостью. У каких полупроводников и в каких условия удельная термо-ЭДС обращается в нуль?

8 стр.

Фрагмент

Задача 60

Почему значения термо-ЭДС полупроводников резко уменьшается при переходе от примесной к собственной электропроводимости? Каков знак термо-ЭДС полупроводников с собственной электропроводимостью. У каких полупроводников и в каких условия удельная термо-ЭДС обращается в нуль?

Решение:

В полупроводниках в общем случае в создании термо-ЭДС принимают участие носители заряда двух типов – электроны и дырки. Обусловленные ими составляющие термо-ЭДС противоположны по знаку. Значение коэффициента дифференциальной термо-ЭДС определяется выражением:…

В данной работе имеются схемы, графики и уравнения, но в демоверсии не отображаются.

Уважаемый студент.

Данная работа выполнена качественно, с соблюдением всех требований. В свободном доступе в интернете ее нет, можно купить только у нас.

После оплаты к Вам на почту сразу придет ссылка для скачивания и кассовый чек.

Сегодня со скидкой она стоит: 320

Задать вопрос

Задать вопрос