Описание

1.2. Найдите контактную разность потенциалов при Т = 320 К. Удельное сопротивление r — области германиевого p—n перехода r_p  = 4 Ом×см, а удельное сопротивление n — области r_n = 2 Ом×см. Концентрация носителей заряда в полупроводнике и подвижность электронов и дырок принять равными 2,5×10¹³ см^-3, 0,12 и 0,05 м²/В×С соответственно.

2.2. Вычислите и сравните прямые напряжения на переходах при Т = 300 К, если германиевый p—n переход имеет обратный ток насыщения I₀ =4 мкА, а кремневый — I₀ =  10^-8 А. Причем через каждый диод протекает ток 30 ма.

3.2. Емкость кремниевого варикапа при температуре t = 20⁰С и обратном напряжении U₁= 3 в равна С₁ = 30 нФ . Найдите его емкость при обратном напряжении  U₂=10 в. собственная  концентрация носителей заряда в кремнии  n_i = 1,5×10¹⁶ м^-3, концентрация акцепторной примеси N_а =10²⁰ м^-3, концентрация донорной примеси   N_д  = 2×10²⁰ м^-3.

4.2. Найдите дифференциальное сопротивление положительно смещенного полупроводникового диода при температуре t = 40⁰С и токе, протекающем через диод, равном I = 0,15 мА.

5.2. По вольт-амперным характеристикам биполярного транзистора КТ 803 А для схемы с общим эмиттером (рис. 3) определите систему h-параметров в рабочей точке заданной током базы и напряжением коллектора .

6.2. Биполярный транзистор КТ 803 А работает в режиме усиления с активной нагрузкой  по  схеме с общим эмиттером. Напряжение источника питания Е_ПИТ =20 В, ток базы I_Б =50 мА, сопротивление  нагрузки R_H =5 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 3) определите ток коллектора и напряжение между коллектором и эмиттером транзистора.

7.2. Транзистор p—n—p включен по схеме, изображенной на рис. 4. Найдите коллекторный ток, если коэффициент передачи тока эмиттера транзистора a =0,92 и обратный ток коллекторного  перехода I_КБО = 7 мкА.

8.2. Предельная частота тока эмиттера в схеме транзистора с общей базой f_h21Б = 5 МГц, а коэффициент передачи тока эмиттера на низких частотах  h_21БО  = = — 0,97. Определите  модуль  коэффициента  передачи тока эмиттера на частоте  15 МГц.

9.2. Найти систему Y — параметров транзистора, если известна система его  h — параметров: h₁₁ = 20 кОм; h₁₂ = 0,002; h₂₁ = 20; h₂₂ =2× 10^-4Ом^-1.

10.2.  Привести схематическое обозначение транзистора КТ315, расшифровать его. Определить режим работы, если к электродам приложены напряжения: коллектор 15 В, эмиттер 1 В, база 10 В. Ответ поясните.

11.2. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 в для схемы с общим истоком (рис. 5) определите крутизну стокозатворной характеристики, внутренне сопротивление и коэффициент усиления по напряжению в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и  сток-исток:  -3В, 10 В.

12.2. Полевой транзистор КП 302 В работает в режиме усиления с активной нагрузкой по схеме с общим истоком. Напряжение источника питания Е_ПИТ = 10 В, напряжение затвор-исток U_ЗИ = -1 В, сопротивление нагрузки R_H = 200 Ом. Используя нагрузочную прямую и вольт-амперные характеристики (рис. 5) найдите ток стока и напряжение сток-исток.

13.2. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком (рис. 5) определите систему Y — параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -3В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю.

13.1. По вольт-амперным характеристикам полевого транзистора КП 302 В для схемы с общим истоком определите систему Y — параметров в рабочей точке заданной напряжениями затвор-исток и сток-исток: -4В, 10 В. Ток затвора считать равным нулю

14.2. Полевой транзистор с управляющим p—n переходом ток стока  I_{c max} =   =1 мА напряжение отсечки  U_отс = 10 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном U_зи = 3 В и чему равна крутизна в этом случае.

14.1. Полевой транзистор с управляющим p—n переходом ток стока  I_{c max} =   =1 мА напряжение отсечки  U_отс = 12 В. Найдите какой ток протекает в транзисторе  при  обратном  напряжении  смещения затвор- исток равном U_зи = 4 В и чему равна крутизна в этом случае.

15.2. Объясните почему с увеличением концентрации донорной примеси в n-области электронно-дырочного перехода возрастает контактная разность потенциалов.

16.2. Объясните почему с увеличением напряжения коллектор-эмиттер в биполярном транзисторе возрастает коэффициент передачи тока базы.

17.2. Объясните почему с увеличением напряжения затвор-исток в полевом транзисторе с p—n-затвором и каналом р-типа наблюдается увеличение сопротивления канала.

18.2. Объясните почему с увеличением длины канала в МДП транзисторе убывает ток стока.

20 стр.